眾所周知，自從5nm的手機芯片集體發(fā)布后，經(jīng)過各大機構(gòu)們的評測，得出了一個結(jié)論，那就是5nm的芯片基本上是集體翻車了。
表現(xiàn)是性能增長有限，但功耗增長很快，發(fā)熱量大，與7nm芯片相比，似乎并沒有太大的優(yōu)勢，遠不像如初10nm進入到7nm時那么明顯。
其實為何功耗大，發(fā)熱量大，有專業(yè)人士進行了分析，還是5nm芯片采用的技術(shù)問題。目前5nm芯片，不管是臺積電，還是三星，采用的還是FinEFT晶體管。
但事實上，這種晶體管在7nm時就要淘汰了，要進步到GAAEFT晶體管去，但臺積電、三星為了求穩(wěn)，在5nm芯片上繼續(xù)使用FinEFT晶體管。
這就導致靜態(tài)功耗過大，也就是因為工藝提升，但晶體管技術(shù)沒變，于是導致晶體管漏電增加，從而導致功耗過大。
或許也正因為如此，所以三星計劃在3nm時，要升級晶體管技術(shù)，采用GAAEFT晶體管，終于要把老邁的FinEFT晶體管技術(shù)淘汰掉了。
但臺積電則表示，在3nm時，將繼續(xù)使用FinEFT晶體管，這就導致外界對于臺積電的3nm工藝，產(chǎn)生了更多的懷疑，覺得三星或在3nm上領(lǐng)先了。
畢竟當初臺積電可是有“臺漏電”的“美譽”的，因為臺積電曾在28nm早期的芯片工藝上，一直沒有解決漏電問題，導致芯片功耗很大，后來學了intel，使用HKMG工藝才解決這個問題。
當然，3nm芯片，三星究竟會不會領(lǐng)先臺積電，還不好說。畢竟這是未來的事情，但對于三星這種敢于創(chuàng)新，使用新技術(shù)的精神，還是要鼓勵和肯定的，你覺得呢？
而對于三星礬，如果穩(wěn)打穩(wěn)進，也確實不是臺積電的對手，只有出奇招才有可能贏，這也是三星激進的原因。
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