工藝和設(shè)計(jì)的結(jié)晶 GALAXY S6 edge評測 性能篇 圖片
性能：14nm處理器性能功耗表現(xiàn)搶眼
性能 ————————————————————————————————
性能方面，三星 GALAXY S6 edge 與 S6 相同，均采用了 14nm FinFET 工藝的 Exynos 7420處理器以及LPDDR4 3GB RAM的組合，圖形處理器為 Mali-T760 MP8。這顆 CPU 采用了4顆 A57以及4顆A53組成的 Big.little 架構(gòu)，其中 A57內(nèi)核主頻2.1GHz，A53主頻1.5GHz。圖形處理器也為8核架構(gòu)，主頻900MHz。
14nm 的出現(xiàn)可以說是直接碾壓了高通驍龍810處理器，要知道高通的工藝若下探到20nm 以下還要等到今年下半年，三星則通過技術(shù)實(shí)力領(lǐng)先了高通至少3個(gè)月。
這顆處理器的性能表現(xiàn)也非同一般，在魯大師64位模式測試下，它的得分為65589分，3D 測試中復(fù)雜場景保持在40fps以上，能輕松暢玩大型游戲。
為了測試其游戲表現(xiàn)，我試玩了一段《RealRacing 3（真實(shí)賽車3）》來一探究竟，大家可以點(diǎn)擊上方視頻查看效果。最終結(jié)果表明，游戲過程沒有絲毫卡頓存在，賽車的光影表現(xiàn)也很完美。
該機(jī)內(nèi)置的3GB RAM 在目前來講僅僅是夠用，打開常用程序的情況下，剩余可用RAM僅有500MB 左右，而清理后也僅有700MB上下，打開過多程序后點(diǎn)擊 Home 鍵會(huì)出現(xiàn)主頁圖標(biāo)重新載入的情況，但多任務(wù)運(yùn)行不存在卡頓，所以說大家也不必太過擔(dān)心。不過既然華碩都已經(jīng)推出了4GB RAM的手機(jī)，三星旗艦僅配備了3GB確實(shí)有點(diǎn)摳門。
功耗方面，由于有14nm 工藝的處理器以及 LPDDR4 的 RAM，S6 edge 在續(xù)航方面表現(xiàn)不錯(cuò)。首先是充電時(shí)間上，三星官方稱使用自帶充電器可以在10分鐘的時(shí)間里讓手機(jī)具有4小時(shí)的使用時(shí)間。這一點(diǎn)我并未進(jìn)行測試，因?yàn)槟壳斑€沒有拿到標(biāo)配充電器。但我使用1.5A的充電器，從0%-100%的充電時(shí)間為150分鐘，也就是2個(gè)半小時(shí)，這對于2600mAh的電池來講，處于中等水平。
放電時(shí)間上，待機(jī)10個(gè)小時(shí)后，電量剩余90%，經(jīng)過一整天的中度使用，整體電量還剩余32%，表現(xiàn)非常不錯(cuò)。由此來看，S6 edge 的2600mAh不會(huì)讓你擔(dān)心它的續(xù)航表現(xiàn)，滿足1天的使用基本不成問題。
轉(zhuǎn)自：泡泡網(wǎng) 作者：Raymond
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