前兩天，快科技曾報(bào)道，華人科學(xué)家胡正明教授剛剛被美國(guó)總統(tǒng)奧巴馬授予2015年全美最高
技術(shù)獎(jiǎng)。
作為半導(dǎo)體業(yè)界的翹楚，他在采訪中談到，在25nm看到盡頭時(shí)美國(guó)*曾向業(yè)界征集方案，
胡教授之后提出了FinFET和UTB-SOI（FD-SOI），前者我們很熟悉，后者的中文名稱是“全耗盡
絕緣硅”。
從技術(shù)上比較簡(jiǎn)單的區(qū)分就是，F(xiàn)inFET是立體型晶體管，而FD-SOI仍是平面型。
雖然1Xnm已經(jīng)進(jìn)入消費(fèi)領(lǐng)域，但是20nm遠(yuǎn)沒(méi)有要到退出市場(chǎng)的地步，還有大量的產(chǎn)品需
求。
據(jù)外媒報(bào)道，三星LSI業(yè)務(wù)總監(jiān)Kelvin Low稱，他們和意法半導(dǎo)體合研的28nm FD-SOI已經(jīng)開(kāi)
始投產(chǎn)，法國(guó)半導(dǎo)體公司Soitec SA提供SOI基底材料。
FD-SOI最大的亮點(diǎn)在于超低功耗，尤其是對(duì)比HKMG（后閘極，約50%+），如今物聯(lián)網(wǎng)
（IoT）、汽車等嵌入開(kāi)發(fā)對(duì)芯片的這一特性非常敏感，ST、飛思卡爾等都明確表態(tài)支持且等待排
片。
當(dāng)然，值得一提的是三星的“好基友”GlobalFoundries，他們?cè)?月份全球首發(fā)了22nm FD-
SOI，電壓做到了業(yè)界最低的0.4V，領(lǐng)先三星一年。
GF現(xiàn)在境遇不佳，屢屢被傳出收購(gòu)，如果明年22nm FD-SOI供貨不理想，三星很有可能直接
發(fā)怒當(dāng)“接盤(pán)俠”。
Via：驅(qū)動(dòng)之家
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