三星電子宣布量產(chǎn)業(yè)界最薄LPDDR5內(nèi)存封裝，較上代厚度
IT之家 8 月 6 日消息，三星電子今日宣布啟動業(yè)界最薄的 LPDDR5X 內(nèi)存封裝量產(chǎn)。該新產(chǎn)品封裝高度為 0.65mm，較上代產(chǎn)品的 0.71mm 降低約 9%，耐熱性能提升了 21.2%。
三星電子本次推出的 LPDDR5X 內(nèi)存封裝基于 12nm 級 LPDDR DRAM，采用了 4 堆棧、每堆棧 2 層的結(jié)構(gòu)設(shè)計，提供 12GB、16GB 兩種容量版本。
在制造該內(nèi)存封裝的過程中，三星電子優(yōu)化了 PCB 和環(huán)氧樹脂模塑料（IT之家注：Epoxy Molding Compound，簡稱 EMC）技術(shù)，并結(jié)合了晶圓背面研磨工藝，使其成為最薄的 12GB 及以上容量 LPDDR DRAM 模組。
更低的封裝高度，加上更優(yōu)異的散熱表現(xiàn)，可為移動設(shè)備提供更多通風(fēng)空間，進而提升設(shè)備整體的散熱效果，最終在高負載的設(shè)備端生成式 AI 應(yīng)用中實現(xiàn)更佳表現(xiàn)。
三星電子內(nèi)存產(chǎn)品規(guī)劃執(zhí)行副總裁 Bae YongCheol 表示：
三星的 LPDDR5X DRAM 為高性能設(shè)備端 AI 解決方案樹立了新標準，不僅提供了卓越的 LPDDR 性能，還在超緊湊封裝中實現(xiàn)了先進的熱管理。
我們致力于通過與客戶的密切合作不斷創(chuàng)新，提供滿足 LP DRAM 市場未來需求的解決方案。
三星電子計劃未來將超薄型 LPDDR DRAM 內(nèi)存封裝擴展到 6 堆棧 24GB、8 堆棧 32GB 的模組上來。
三星電子本次推出的 LPDDR5X 內(nèi)存封裝基于 12nm 級 LPDDR DRAM，采用了 4 堆棧、每堆棧 2 層的結(jié)構(gòu)設(shè)計，提供 12GB、16GB 兩種容量版本。
在制造該內(nèi)存封裝的過程中，三星電子優(yōu)化了 PCB 和環(huán)氧樹脂模塑料（IT之家注：Epoxy Molding Compound，簡稱 EMC）技術(shù)，并結(jié)合了晶圓背面研磨工藝，使其成為最薄的 12GB 及以上容量 LPDDR DRAM 模組。
更低的封裝高度，加上更優(yōu)異的散熱表現(xiàn)，可為移動設(shè)備提供更多通風(fēng)空間，進而提升設(shè)備整體的散熱效果，最終在高負載的設(shè)備端生成式 AI 應(yīng)用中實現(xiàn)更佳表現(xiàn)。
三星電子內(nèi)存產(chǎn)品規(guī)劃執(zhí)行副總裁 Bae YongCheol 表示：
三星的 LPDDR5X DRAM 為高性能設(shè)備端 AI 解決方案樹立了新標準，不僅提供了卓越的 LPDDR 性能，還在超緊湊封裝中實現(xiàn)了先進的熱管理。
我們致力于通過與客戶的密切合作不斷創(chuàng)新，提供滿足 LP DRAM 市場未來需求的解決方案。
三星電子計劃未來將超薄型 LPDDR DRAM 內(nèi)存封裝擴展到 6 堆棧 24GB、8 堆棧 32GB 的模組上來。
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