三星新顯存的帶寬高達(dá)256GB/s，比一代HBM DRAM顯存芯片快了一倍。
三星宣布開始大規(guī)模生產(chǎn)基于第二代HBM技術(shù)的顯存芯片，它的數(shù)據(jù)傳輸速度可以達(dá)到256GBps，比現(xiàn)在市場(chǎng)上最好的DDR5內(nèi)存芯片還要快7倍。
新生產(chǎn)的20納米顯存芯片主要提供給服務(wù)器制造商，因?yàn)樗鼈冊(cè)敢獠捎米钚碌漠a(chǎn)品。新的顯存芯片還可以大幅提升Nvidia、AMD顯卡的性能并降低能耗。
目前三星開始量產(chǎn)的4GB顯存模組以4x8Gb規(guī)格封裝，年底時(shí)三星還會(huì)開始生產(chǎn)8GB產(chǎn)品。它采用了20納米制程和先進(jìn)的HBM（高帶寬內(nèi)存）芯片設(shè)計(jì)，不只性能好，而且節(jié)能、穩(wěn)定、尺寸小，非常適合用在下一代HPC（超級(jí)計(jì)算機(jī)高效能運(yùn)算）系統(tǒng)和顯卡中。
去年10月時(shí)，三星曾推出128GB 3D TSV DDR RDIMM芯片，量產(chǎn)HBM2 DRAM標(biāo)志著TSV（硅通孔）DRAM技術(shù)取得了里程碑式的突破。
4GB HBM2封裝下面是緩沖芯片，上面是4個(gè)8GB（1GB）容量的HBM2 DRAM芯片，它們通過TSV孔洞和微凸塊焊接垂直連接在一起。每一塊8GB HBM2芯片上有5000個(gè)TSV孔洞，比8GB TSV DDR芯片多了36倍，從而大大提升了數(shù)據(jù)傳輸速度。
三星新顯存的帶寬高達(dá)256GB/s，比一代HBM DRAM顯存芯片快了一倍。4GB GDDR5 DRAM芯片的帶寬為36GBps，新芯片比它快了7倍。與此同時(shí)，新顯存的能耗效率更高，它的每瓦特帶寬比4GB GDDR5要高一倍，它還嵌入了ECC（錯(cuò)誤檢查與糾錯(cuò)）功能提高了芯片的穩(wěn)定性。
今年晚些時(shí)候，三星會(huì)推出8GB封裝二代HBM顯存。如果顯卡采用8GB封裝二代HBM顯存，與GDDR5 DARM相比設(shè)計(jì)者可以節(jié)省95%的空間，從而為緊湊型、對(duì)顯示計(jì)算性能要求高的設(shè)備提供更優(yōu)的解決方案。
Via：騰訊數(shù)碼
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