據(jù)Ars Technica網(wǎng)站報(bào)道，三星開始了第二代高位寬顯內(nèi)存（HBM2）顆粒的量產(chǎn)，這一采用20nm 制程的產(chǎn)品支持高達(dá)256 GB每秒的速率，較應(yīng)用于AMD Fury顯卡上的第一代HBM高出一倍。這一技術(shù)亦可以將目前顯卡產(chǎn)品的4GB顯存容量限制進(jìn)一步提升至16GB，也就是說，未來的顯卡能夠配備容量更大的顯存。與初代HBM不同，HBM2采用堆疊工藝，DRAM顆粒彼此間相互疊加，通過硅通道垂直連接，進(jìn)而可以通過堆疊通道底部的中介層與GPU直接連接。由于芯片間的距離更加接近，因此在提升速率的同時(shí)，也進(jìn)一步降低了功耗。
理論上，采用HBM2的顯卡將具備高達(dá)每秒1024GB的顯存帶寬，這一速率兩倍于Fury X顯卡系列，更是三倍于英偉達(dá)的Titan X。
三星目前采用4GB的堆疊工藝，其計(jì)劃于今年晚些時(shí)候開始采用8GB工藝生產(chǎn)。
顯存帶寬的進(jìn)一步提升有望為用戶帶來更高的幀率，這一點(diǎn)在VR應(yīng)用領(lǐng)域尤為重要。此外，由于HMB2顯存的功耗更低，GPU有望獲取更大動(dòng)力，進(jìn)一步提升顯卡的整體性能。AMD表示，通過采用HBM技術(shù)，其Fury X顯卡在顯存方面的功耗最多減少了40至50瓦。
AMD將在即將面市的Polaris架構(gòu)產(chǎn)品上采用HBM2技術(shù)，而英偉達(dá)也將在Pascal上采用。
英特爾在某些處理器中采用EDRAM并獲得了一定程度的成功，但HBM2技術(shù)無疑能夠?yàn)镚PU在帶寬方面帶來更大的改善。雖然采用HBM2的APU無法對(duì)高端顯卡形成威脅，但中低端的產(chǎn)品很快將會(huì)感受到一定程度的壓力。
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