如何檢驗(yàn)三星Galaxy S8及S8+手機(jī)的閃存類(lèi)型呢？拆機(jī)看是不行的，XDA論壇上現(xiàn)在有人發(fā)了一個(gè)教程，可以使用Material Terminal終端模擬器，輸入cat /proc/scsi/scsi指令，可以獲得閃存供應(yīng)商的型號(hào)，如下圖所示：
圖中紅字標(biāo)識(shí)的部分就是NAND閃存型號(hào)，這個(gè)方法其實(shí)之前在華為P10手機(jī)上就有人提到過(guò)。獲得閃存型號(hào)之后可以去三星、東芝、SK Hynix等官網(wǎng)上查找相關(guān)說(shuō)明了。
以圖中KLUCG4J1ED - B0C1編號(hào)的閃存為例，三星官網(wǎng)上可以確認(rèn)它是64GB容量、UFS 2.1規(guī)格的閃存，讀取速度可達(dá)890MB/s，寫(xiě)入可達(dá)200MB/s。
如果大家得出的是THGAF4G9N4LBAIRB或者THGBF7G9L4LBATRC這兩種閃存型號(hào)，他們則是來(lái)自東芝NAND閃存，IR結(jié)尾的是UFS 2.1閃存，TR結(jié)尾的是UFS 2.0閃存。
三星Galaxy S8/S8+v閃存混用的情況
前面介紹的識(shí)別方法最終都是為了揭示三星Galaxy S8/S8+的閃存情況，為此原帖還置頂了調(diào)查結(jié)果，在113個(gè)樣本中，驍龍835處理器中接近一半消費(fèi)者是UFS 2.1閃存，另一半是UFS 2.0閃存，Exynos 8895處理器中絕大多數(shù)是UFS 2.1閃存，極少部分是UFS 2.0閃存。
雖然樣本數(shù)量還不是很豐富，不過(guò)從這個(gè)結(jié)果來(lái)看UFS 2.1閃存的比例還挺多的，這可能跟美國(guó)地區(qū)上市的Galaxy S8主要也是驍龍835處理器版有一定關(guān)系。對(duì)國(guó)內(nèi)用戶來(lái)說(shuō)，國(guó)行也是驍龍835版，按照這個(gè)比例來(lái)說(shuō)，消費(fèi)者有一半的可能是買(mǎi)到UFS 2.0閃存的，另一半可能是UFS 2.1閃存的。
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