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首頁產品區(qū)Galaxy S系列

10nm有多屌 最詳盡三星S8 跑分測試 圖片

Galaxy S系列 ? 曬機評測 ? S8丨S8+

2017-05-12 19:56

去年11月份,美國高通公司宣布與三星電子合作共同開發(fā)下一代驍龍835處理器,最大特色是采用10納米制程工藝打造,高通方面表示,由于采用全新的10納米制程工藝,驍龍835處理器將具備更低的功耗以及更高性能,從而提升移動設備的用戶體驗。

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除此之外,借助10納米工藝制程,高通驍龍835處理器具備更小的SoC尺寸,讓OEM廠商可以進一步優(yōu)化移動設備的機身內部結構,比如增加電池或是實現更輕薄的設計等等。此外,制程工藝的提升也會改善電池續(xù)航能力。 

通過已經的介紹,里外都透漏著擁有10nm制成的高通驍龍835在性能和能耗上是多么的屌炸天!

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而又有多少人知道什么是工藝制成呢? 

CPU制作工藝指的是在生產CPU過程中,要加工各種電路和電子元件,制造導線連接各個元器件等?,F在其生產的精度以納米(以前用微米)來表示,精度越高,生產工藝越先進。在同樣的材料中可以容納更多的電子元晶圓局部 件,連接線也越細,有利于提高CPU的集成度。制造工藝的納米數是指IC內電路與電路之間的距離。制造工藝的趨勢是向密集度愈高的方向發(fā)展,密度愈高的IC電路設計,意味著在同樣大小面積的IC中,可以擁有密度更高、功能更復雜的電路設計。微電子技術的發(fā)展與進步,主要是靠工藝技術的不斷改進。 

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芯片制造工藝從1971年開始,經歷了10微米、6微米、3微米、1.5微米、1微米、800納米、600納米、350納米、250納米、180納米、130納米、90納米、65納米、45納米、32納米、22納米,一直發(fā)展到目前2015年的14納米,而最先進的10納米也來到我們身邊。 

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前一段時間,搭載高通驍龍835處理器的三星Galaxy S8/S8+正式發(fā)布,而作為安卓陣營中的機皇其性能表現到底有多橫呢?下面就來通過跑分測試一起來看一下吧。

安兔兔評測 

首先,先來進行安兔兔評測跑分測試,而就在2月份,安兔兔公布了手機性能排行榜TOP10,其中蘋果iPhone 7 Plus穩(wěn)居榜首(184981分),iPhone 7175805分)和一加手機3T163044分)則仍然分別位居第二和第三。

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但是需要注意的是,這個得分是在最理想的情況下的得分。實際機型,并不會有如此高的跑分。就拿Phone 7 Plus舉例,實測只有150255分,比安兔兔官方公布的跑分少了3萬分。 

而三星Galaxy S8+在實測中的跑分如果在最理想的情況下,跑出的分數會更嚇人。 

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Geekbench 4 

然后又進行了Geekbench 4跑分測試,Geekbench 4測試軟件分別測試出高通835的單核性能和多核性能,單核分數考研的是CPU最強核心的絕對性能,而多核心得分更多的是考驗多核心處理性能以及頻率的穩(wěn)定性。當然兩組的分都是越大越好。 

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如圖所示,單核分為1921,多核得分為5634分。從Geekbench 4數據庫的排行來看,單核心性能和多核心性能均是最高。

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Geekbench 3單核分為1768,多核得分為5601分。


3DMark  

3DMark是最權威的圖形測試軟件,極限測試手機GPU的性能,能夠全面的測試包括多渲染目標、即時渲染、統(tǒng)一緩沖、轉換反饋,體積光照等在內的各方面性能。 

得分方面,三星Galaxy S8+3DMark 得分為2177分,達到了移動端的頂級水平。 

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在性能方面,三星Galaxy S8+搭載的10nm的高通驍龍835十分強悍,并且穩(wěn)穩(wěn)的超過了iPhone 7 Plus所搭載的A10處理器,可以稱為目前安卓陣營中真正的機皇,而10nm工藝帶來的優(yōu)勢,不僅僅是性能上的提升,能耗比才是重中之重。 

除此以外,還進一步對三星Galaxy S8+的內存讀取速度進行了測試,運行的測試軟件是AndroBench測試,下面來看看結果吧。

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AndroBench是一個基準測試應用程序,可以衡量你的Android設備的存儲性能。 AndroBench提供兩種方式,第一種可以快速與其他設備的存儲進行比較。第二種 SQLite可以查詢數據庫表。 

通過測試截圖可以看出讀取速度為744.56MB/s,寫入速度為155.84MB/s。



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