三星公布 LPDDR5-Ultra-Pro 技術
三星在國際固態(tài)電路會議（ISSCC）中基于 LPDDR5 規(guī)格推出了全新技術 ——LPDDR5-Ultra-Pro DRAM。
相應 DRAM 芯片采用 1.05V 標準電壓和公司第五代 10nm 級 DRAM 工藝，可實現高達 12700 MT/s 的數據傳輸速率，刷新了 LPDDR5X 的最高紀錄。
三星表示，為達到如此高的速率，該公司引入了兩項專有電路級技術“四相自校準環(huán)路”和“AC 耦合收發(fā)器均衡技術”。
在“四相自校準環(huán)路”方面，三星表示這種技術可確保 DRAM 內部四個時鐘相位（0°、90°、180°、270°）在高速傳輸過程中保持精確對齊。
由于即使微小的相位偏差（相位偏移）也會影響時序和性能，而目前該公司推出的這一校準環(huán)路記錄可測量各相位對（例如 0° 與 180°、90° 與 270°）之間的偏差，并通過“翻轉”和“不翻轉”兩步比較，自動補償真實的時鐘相位誤差，從而調整各相位以保持整齊均勻的時鐘邊緣。
三星還介紹了“AC 耦合收發(fā)器均衡技術”，稱在高速數據傳輸時，信號容易遭受衰減和碼間串擾，而三星這一技術主要通過提升時鐘信號、均衡接收器以及對發(fā)射器進行預加重，確保信號在傳輸過程中維持高質量，從而滿足甚至超越 JEDEC 對 LPDDR5X 的數據傳輸和功耗要求。
根據三星報告，采用了上述技術的 LPDDR5-Ultra-Pro DRAM 芯片在 1.05V 下可實現最高 12700 MT/s 的數據傳輸速率；而在 10700 MT/s 的運行條件下，其穩(wěn)定性依然保持在 0.9V 以上，三星稱“這驗證了公司內存產品技術的可靠性”。
相應 DRAM 芯片采用 1.05V 標準電壓和公司第五代 10nm 級 DRAM 工藝，可實現高達 12700 MT/s 的數據傳輸速率，刷新了 LPDDR5X 的最高紀錄。
三星表示，為達到如此高的速率，該公司引入了兩項專有電路級技術“四相自校準環(huán)路”和“AC 耦合收發(fā)器均衡技術”。
在“四相自校準環(huán)路”方面，三星表示這種技術可確保 DRAM 內部四個時鐘相位（0°、90°、180°、270°）在高速傳輸過程中保持精確對齊。
由于即使微小的相位偏差（相位偏移）也會影響時序和性能，而目前該公司推出的這一校準環(huán)路記錄可測量各相位對（例如 0° 與 180°、90° 與 270°）之間的偏差，并通過“翻轉”和“不翻轉”兩步比較，自動補償真實的時鐘相位誤差，從而調整各相位以保持整齊均勻的時鐘邊緣。
三星還介紹了“AC 耦合收發(fā)器均衡技術”，稱在高速數據傳輸時，信號容易遭受衰減和碼間串擾，而三星這一技術主要通過提升時鐘信號、均衡接收器以及對發(fā)射器進行預加重，確保信號在傳輸過程中維持高質量，從而滿足甚至超越 JEDEC 對 LPDDR5X 的數據傳輸和功耗要求。
根據三星報告，采用了上述技術的 LPDDR5-Ultra-Pro DRAM 芯片在 1.05V 下可實現最高 12700 MT/s 的數據傳輸速率；而在 10700 MT/s 的運行條件下，其穩(wěn)定性依然保持在 0.9V 以上，三星稱“這驗證了公司內存產品技術的可靠性”。
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