三星S26 手機 Exynos 2600主要在歐洲銷售
上個月,有消息稱三星計劃 2025 年 11 月量產首款采用 2 納米工藝的 Exynos 2600 芯片。若 Galaxy S26 機型能順利搭載 Exynos 2600,三星有望借此展示 2 納米技術實力,吸引更多客戶。
Exynos 2600 芯片采用 Gate-All-Around(GAA)技術,相較傳統(tǒng) FinFET 工藝更先進。這種技術通過四面環(huán)繞晶體管結構,提升芯片性能并降低功耗,適合高性能芯片需求。
三星此前已率先實現(xiàn) 3 納米 GAA 量產,但受限于低良率,未能扭轉代工業(yè)務的虧損局面。據悉,2 納米工藝的良率已從年初的 20-30% 提升至 40% 以上,遠超 3 納米時期的表現(xiàn)。然而,三星與臺積電的差距依然明顯。
臺積電的 2 納米初期良率已達 60%,而量產通常需良率穩(wěn)定在 70-80%。三星需在下半年進一步優(yōu)化工藝,以縮小差距。



