快科技2月13日消息，雖然LPDDR6內(nèi)存尚未正式進(jìn)入商用階段，但規(guī)格更高的LPDDR6X已經(jīng)出現(xiàn)在了演進(jìn)路線圖中。根據(jù)最新的行業(yè)消息，三星電子已經(jīng)完成了LPDDR6內(nèi)存的關(guān)鍵研發(fā)工作，并計劃在2026年下半年實現(xiàn)正式商用。
三星LPDDR6內(nèi)存初始速度達(dá)到了10.7Gbps，憑借全新的動態(tài)功率管理系統(tǒng)，其能效比現(xiàn)有的LPDDR5方案提升了約21%。隨著技術(shù)的進(jìn)一步成熟，改進(jìn)后的標(biāo)準(zhǔn)速度有望飆升至14.4Gbps。
作為增強(qiáng)版本的LPDDR6X，則會在帶寬和延遲表現(xiàn)上進(jìn)一步挑戰(zhàn)DRAM的極限。雖然JEDEC協(xié)會目前尚未敲定LPDDR6X的具體技術(shù)指標(biāo)，但預(yù)計今年內(nèi)會有更多官方標(biāo)準(zhǔn)對外公布。
值得關(guān)注的是，三星的LPDDR6X內(nèi)存樣品已經(jīng)寄送至高通進(jìn)行測試，盡管目前的頂級AI芯片市場更傾向于使用HBM高帶寬內(nèi)存，但HBM在封裝工藝、驗證成本以及測試難度上都遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)的DDR架構(gòu)。
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