曝三星加快研發(fā)HBM4E芯片，基礎(chǔ)裸片有望采用2nm制程
行業(yè)人士透露，三星正在為第七代 HBM（HBM4E）的 base die 評(píng)估 2nm 制程工藝。
從原理層面講，HBM 由 core die 和 base die 組成，前者是垂直堆疊的 DRAM，后者則是起控制器作用。在 HBM3E 之前，base die 只負(fù)責(zé)較為簡(jiǎn)單的控制功能，但從 HBM4 時(shí)代開(kāi)始，它需要直接處理部分計(jì)算任務(wù)，邏輯電路功能得到加強(qiáng)，重要性顯著提升。
為了提升 HBM4 的性能，三星電子已經(jīng)找到三星晶圓代工部門(mén)生產(chǎn) 4nm 工藝 base die，并結(jié)合了最先進(jìn)的 1c DRAM（第六代 10nm 工藝），成功領(lǐng)先采用臺(tái)積電 12nm 工藝的 SK 海力士。
半導(dǎo)體行業(yè)預(yù)計(jì)，從 HBM4E 開(kāi)始，面向客戶(hù)定制的 HBM 芯片將正式出現(xiàn)，其中三星計(jì)劃年中發(fā)布標(biāo)準(zhǔn)版 HBM4E，下半年則根據(jù)客戶(hù)安排為定制產(chǎn)品進(jìn)行首次 tape-in
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