磁存儲是已被使用數(shù)十年的存儲技術(shù)，但它的一個問題是速度較低。瑞士研究人員報告說，找到了極大提高磁存儲速度的方法，有望讓計算機在不久的將來用上高速的磁內(nèi)存，從而大大減少計算機啟動時間。
自從國際商用機器公司（IBM）于1956年推出第一個磁盤存儲器以來，磁存儲器因其長壽命和低成本的優(yōu)勢，一直被用來存儲信息，比如作為計算機的硬盤。傳統(tǒng)磁存儲器通過帶電線圈產(chǎn)生的磁場變化來改變存儲介質(zhì)的磁性，從而實現(xiàn)存儲信息，但其速度跟不上越來越快的計算機處理器，難以用作對速度要求高的內(nèi)存。
瑞士蘇黎世聯(lián)邦理工大學材料系教授彼得羅·甘巴爾代拉領(lǐng)導的團隊在新一期英國《自然·納米技術(shù)》雜志上發(fā)表報告說，利用被稱為“自旋軌道轉(zhuǎn)矩”的物理現(xiàn)象，可以不用通電線圈，僅用通電的特殊半導體薄膜材料就能改變存儲介質(zhì)的磁性，從而實現(xiàn)磁存儲。
該團隊用新方法改變了一個直徑約500納米的鈷金屬點的磁性，發(fā)現(xiàn)在給其附近的導線通電后，在不到1納秒的時間內(nèi)，鈷金屬點的磁性就發(fā)生了改變。并且鈷金屬點可如此反復經(jīng)歷上萬億次的磁性變化，說明它可成為高速且耐用的存儲介質(zhì)。與傳統(tǒng)線圈方式的磁存儲器相比，新方法不僅速度快，還不會因為線圈的電阻而消耗能量，能效更高。
研究人員說，這一新技術(shù)有望讓計算機的內(nèi)存用上磁存儲器。目前許多計算機的內(nèi)存采用電存儲器，關(guān)機斷電后內(nèi)存中的信息就會被清空，因此重新開機時需要較長時間。而磁存儲可以在斷電后仍然保留數(shù)據(jù)，因此如果計算機用上磁內(nèi)存，有望大大減少開機啟動的時間。
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