三星推進(jìn)先進(jìn)制程工藝：2納米良率突破60%，目標(biāo)2030年實(shí)現(xiàn)1納米
三星正全力推進(jìn)半導(dǎo)體先進(jìn)制程戰(zhàn)略，2納米良率已升至60%以上，并將2030年導(dǎo)入1納米制程列為下一階段目標(biāo)，力圖在高端晶圓代工市場(chǎng)縮小與臺(tái)積電的差距。
據(jù)韓國《韓國經(jīng)濟(jì)》援引消息人士報(bào)道，三星晶圓代工部門已明確將1納米制程的導(dǎo)入時(shí)間定為2030年，屆時(shí)將引入叉片（forksheet）全新架構(gòu)技術(shù)。與此同時(shí)，該公司2納米制程良率最高已超過60%，生產(chǎn)效率顯著改善，外界普遍預(yù)期其晶圓代工業(yè)務(wù)有望在今年實(shí)現(xiàn)盈利。
良率的突破直接提振了市場(chǎng)對(duì)三星代工業(yè)務(wù)的信心。報(bào)道同時(shí)披露，三星已為特斯拉2納米AI芯片"AI6"開發(fā)定制工藝SF2T，預(yù)計(jì)2027年在德克薩斯州Taylor新晶圓廠正式量產(chǎn)，進(jìn)一步夯實(shí)其高端客戶陣容。
與此同時(shí)，臺(tái)積電、Rapidus等主要晶圓代工廠商也在加速推進(jìn)各自的1納米技術(shù)路線圖，全球先進(jìn)制程競爭格局持續(xù)升溫。
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