9月19日消息 Intel在今天在北京舉辦的尖端制造大會(huì)上正式公布了10nm制程以及全球首次展示了10nm的晶圓。而在接下來(lái)的技術(shù)大會(huì)上，Intel介紹了自家的10nm工藝制程，同時(shí)和友商也就是臺(tái)積電以及三星的10nm工藝制程進(jìn)行對(duì)比。
Intel高級(jí)院士，制程架構(gòu)總監(jiān)Mark T.Bohr放出了Intel的10nm工藝制程與友商三星以及臺(tái)積電的對(duì)比?？梢钥吹絀ntel的10nm工藝制程在鰭片間距以及柵極間距均低于三星和臺(tái)積電，而最小金屬間距更是大幅領(lǐng)先于友商，從而在最終的邏輯晶體管密度參數(shù)上面，Intel的10nm工藝制程能夠達(dá)到每平方毫米1億晶體管，而臺(tái)積電為4800萬(wàn)，三星為5160萬(wàn)，也就是說(shuō)Intel的10nm工藝制程晶體管密度是臺(tái)積電的2倍還多。
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