消息稱三星電子展示全球首款 5nm MRAM 研發(fā)成果，2027 年量產(chǎn)
據(jù)韓媒 SEDaily 當(dāng)?shù)貢r(shí)間 12 日消息，三星電子在 2026 年度 IEEE VLSI 研討會(huì)上展示了全球首款 5nm MRAM（磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的研發(fā)成果。
相較 DRAM，MRAM 的一大優(yōu)勢是其具備非易失性 (Non-Volatile)，無需頻繁刷新，幾乎可以無限期地保留信息，從而實(shí)現(xiàn)了能效端的優(yōu)勢。
三星電子的 5nm MRAM 擁有 -40~+150 ℃ 的寬廣工作環(huán)境溫度范圍，能滿足 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)要求，正朝 2027 年量產(chǎn)的既定目標(biāo)穩(wěn)步推進(jìn)。
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