PingWest品玩5月24日?qǐng)?bào)道，昨天的Samsung Foundry Forum論壇上，三星直接宣布了5/4/3nm工藝技術(shù)。
其中，5nm LPE工藝相較于7nm LPP，會(huì)進(jìn)一步縮小芯片核心面積，帶來更低的功耗。
4nm LPE/LPP將會(huì)成為三星最后一次在芯片上使用FinFET技術(shù)，進(jìn)步壓縮芯片面積。
3nm GAAE/GAAP則采用了全新的GAA(Gate-All-Around，環(huán)繞柵極)納米技術(shù)，需要重新設(shè)計(jì)晶體管底層結(jié)構(gòu)，克服當(dāng)前技術(shù)的物理、性能極限，增強(qiáng)柵極控制，性能大大提升。
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