高通在夏威夷召開(kāi)的第三屆驍龍技術(shù)峰會(huì)上，正式推出了萬(wàn)眾矚目的驍龍 8 系列旗艦移動(dòng)芯片 Snapdragon 855。正如大多數(shù)機(jī)友所知，驍龍 855 將會(huì)是 2019 年新一代頂級(jí)旗艦智能手機(jī)標(biāo)配的移動(dòng)芯片。那么，這枚芯片與上一代相比究竟帶來(lái)怎樣的性能改進(jìn)呢？本月中旬，知名評(píng)測(cè)站 AnandTech 發(fā)布了驍龍 855 芯片的首測(cè)報(bào)告，我們一同來(lái)看看。
在開(kāi)始性能評(píng)測(cè)之前，還是要把驍龍 855 的性能參數(shù)復(fù)習(xí)一遍。高通驍龍 855 是一枚 7 納米工藝八核心設(shè)計(jì)的芯片，這次高通的核心結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)主要基于 ARM 的 DynamIQ CPU 集群，具體為 1 大核 + 3 中核 + 4 小核的設(shè)計(jì)。大核基于 ARM 最新 Cortex-A76 設(shè)計(jì)，可以提供非常高的峰值性能，3 個(gè)中核同樣也是 Cortex-A76 定制，4 個(gè)小的核心基于 Cortex-A55。
與此同時(shí)，與上一代驍龍 845 芯片相比，驍龍 855 并沒(méi)有大幅提升 CPU 核心的時(shí)鐘頻率。高通強(qiáng)調(diào)，自家的 Kryo 485 CPU 集群由于是基于 ARM 最新的 Cortex-A76 進(jìn)行半定制設(shè)計(jì)，大內(nèi)核配備了更大的 512kb 的 L2 緩存，頻率達(dá)到 2.84GHz 峰值頻率，高通稱(chēng)性能相比上一代還是提高了 45%。
驍龍 855 中的三個(gè)中核頻率為 2.42GHz，并各有 256kb 的 L2 緩存，4 個(gè) 1.8GHz 主頻小核的每個(gè)核心各有 128kb 的 L2 緩存。此外，驍龍 855 還集成了新一代圖形處理單元 Adreno 640 GPU，高通官方稱(chēng)能夠帶來(lái)高達(dá) 20% 的圖形渲染速度提升，同時(shí)還能繼續(xù)保持業(yè)界領(lǐng)先水平的每瓦特能效。
AnandTech 這一次拿到手的驍龍 855 設(shè)備并非任何一個(gè)品牌的零售機(jī)型，而是高通所準(zhǔn)備的參考設(shè)計(jì)機(jī)型 Snapdragon 855 QRD。經(jīng)上手，他們認(rèn)為今年高通 QRD 測(cè)試機(jī)的設(shè)計(jì)可能是有史以來(lái)最接近于上市新機(jī)的一次，外殼更加美觀，也更加堅(jiān)固，讓人很難注意到這本是一款參考設(shè)備。
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